01熱招崗位

化合物半導體超凈實驗室

運營與安全管理專家/經理/首席工藝工程師/平臺主任

02崗位職責

1.全面負責工藝線超凈實驗室的日常運營、安全與環(huán)境管理，確保其持續(xù)滿足外延、微納加工、測試等全流程的嚴苛標準。

2.建立并優(yōu)化與化合物半導體工藝特性深度綁定的安全管理體系，指導器件工藝的全流程工藝研發(fā)，保障對客戶的高質量交付。

3.保障實驗室關鍵基礎設施(超純氣路與特氣系統(tǒng)、高功率冷卻水系統(tǒng)、尾氣處理與洗滌系統(tǒng)、中央監(jiān)控系統(tǒng))的高可靠運行，直接支持工藝研發(fā)的穩(wěn)定性與復現(xiàn)性。

4.深度介入研發(fā)項目，從實驗室條件保障角度為氮化鎵HEMT器件、激光器、功率二極管等特定工藝開發(fā)提供專業(yè)支持與優(yōu)化建議。

5.制定并持續(xù)完善與化合物半導體材料特性(如對雜質、應力敏感)相適應的標準操作規(guī)程、潔凈室行為規(guī)范及應急預案。

6.負責實驗室團隊的技術培訓、安全督導與考核，培養(yǎng)團隊對化合物半導體特殊性的深刻認知。

7.主導或參與新工藝設備的評估、導入與驗收，確保其與現(xiàn)有實驗室條件及安全標準無縫對接。

03任職要求

必備條件

1.本科及以上學歷，微電子學、半導體物理、材料科學與工程、電子工程等相關專業(yè)。

2.5年以上半導體行業(yè)超凈實驗室、潔凈室或中試線的運營管理或工藝工程經驗，具備獨立負責一個功能模塊或整個實驗室的能力。

3.具備優(yōu)秀的跨部門溝通能力、資源協(xié)調能力和項目管理能力，注重細節(jié)，執(zhí)行力強。身體健康，年齡原則上不超過65歲。

核心優(yōu)先條件

1.具有氮化鎵(GaN)或其它化合物半導體(如GaAs、InP)器件完整或關鍵工藝經驗者優(yōu)先。熟悉相關外延、光刻、刻蝕、薄膜沉積、鈍化、測試等環(huán)節(jié)。

2.深刻理解化合物半導體工藝對顆�？刂�、金屬污染、靜電防護、振動與溫濕度穩(wěn)定性等方面的特殊要求，并能將其轉化為有效的管理措施者優(yōu)先考慮。

3.有MOCVD等復雜設備所在實驗室的運維管理經驗者優(yōu)先考慮。

4.熟悉半導體行業(yè)相關安全與質量標準(如SEMI標準)者優(yōu)先考慮。

04關于我們

江蘇第三代半導體研究院有限公司成立于2019年7月，是由江蘇省、蘇州市、蘇州工業(yè)園區(qū)與研究院核心團隊共建的新型研發(fā)機構。是國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心(蘇州)的建設主體單位，核心方向包括射頻器件、功率電子、光電子等前沿應用，擁有專業(yè)化超凈實驗室，支撐核心工藝開發(fā)與前沿技術探索。研究院主要聚焦“1~100”產業(yè)共性關鍵技術，建設開放共享的公共研發(fā)大平臺，以市場化機制協(xié)同優(yōu)勢創(chuàng)新資源聯(lián)合攻關，推動創(chuàng)新鏈、產業(yè)鏈、資金鏈、人才鏈的融合貫通，服務第三代半導體產業(yè)高質量創(chuàng)新發(fā)展。

為保障研發(fā)平臺的高效、安全與先進，推進核心芯片的研發(fā)進程，現(xiàn)誠招志同道合的專業(yè)人才加入。

05我們提供

1.行業(yè)領先的全面薪酬包(薪資+獎金+績效包)，年薪50萬~90萬，完善的福利與保障體系。

2.置身于化合物半導體這一高速發(fā)展的黃金賽道，直接參與定義未來技術的核心研發(fā)工作。

3.與技術頂尖、充滿激情的團隊共事，獲得快速的專業(yè)成長與廣闊的職涯發(fā)展空間。

4.鼓勵創(chuàng)新、尊重專業(yè)的開放式企業(yè)文化。

06應聘方式

簡歷投遞郵箱:hr_ias@iasemi.cn，請【點擊下方“立即投遞/投遞簡歷”，即刻進行職位報名】，簡歷附件命名方式“應聘化合物半導體實驗室運營管理-[您的姓名]-[相關經驗年限]’

招聘聯(lián)系人:成老師

聯(lián)系電話:19905129470(微信同號)

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